Infraroter Hindernissensor

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Produktbeschreibung

Dieser Sensor hat in sich einen Fototransistor und eine Fotodiode. Fotodiode enthält 2 Pins (Anode, Kathode), die dafür verwendet werden, um einen infraroten Signal zu generieren. Fototransistor enthält 2 Pins auch (Anschluss uns Emitter), die dazu dienen, um den von der Fotodiode generierten infraroten Signal zu lesen. Der Sensor wird oft dafür verwendet, um vor ihm reflektierte Entfernung abzulesen.

Produktmerkmale

Schlüsselmerkmale

  • Spannung: 5V
  • Output: analog oder digital
  • Temperaturbereich: von -25°C bis 85°C
  • Abmessungen: 10.2 x 5.8mm

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